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針對(duì)MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)，芯能在國(guó)內(nèi)率先開發(fā)出驅(qū)動(dòng)IC，具有高可靠性和廣泛的兼容性，可以滿足消費(fèi)、家電、工業(yè)、新能源等領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)驅(qū)動(dòng)和電源轉(zhuǎn)換的多樣化需求。 芯能驅(qū)動(dòng)IC具有過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)、防直通、死區(qū)等功能，驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)，可集成自舉二極管，能幫助客戶簡(jiǎn)化系統(tǒng)、節(jié)省成本。

IC特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

• 高擊穿電壓, 800V
  
• 可集成BSD
  
• 高負(fù)壓耐受, -100V/50ns
  
• 低電平轉(zhuǎn)換損耗
  
• 高dv/dt, 50V/ns
  
• 輸入兼容3.3V/5V/15V
  
• 高驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)3A
  
• VCC/VBS電源鉗位