芯能發(fā)布汽車(chē)級(jí)大功率IGBT芯片
芯能半導(dǎo)體 芯能半導(dǎo)體 Loading... 2020-03-17
2019年新能源汽車(chē)市場(chǎng)雖受到政府相關(guān)支持政策退坡影響，但全年銷(xiāo)量仍然超過(guò)120萬(wàn)輛。與此同時(shí)，充電基礎(chǔ)設(shè)施也迎來(lái)了爆發(fā)期，截至2019年年底，全國(guó)充電基礎(chǔ)設(shè)施累計(jì)數(shù)量也已超過(guò)100萬(wàn)套。IGBT模塊是新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車(chē)成本的5~10%，占到充電樁成本的近20%。芯能作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的，專(zhuān)注于IGBT功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，從2015年開(kāi)始涉足汽車(chē)IGBT的研發(fā)，我司經(jīng)過(guò)多年的多次優(yōu)化、反復(fù)驗(yàn)證，在2019年12月成功研發(fā)出了芯能完全自主的汽車(chē)級(jí)750V200A IGBT芯片。
本芯片采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽柵+場(chǎng)截止技術(shù)，并針對(duì)車(chē)用場(chǎng)合進(jìn)行了器件設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化。一方面在保證了擊穿電壓有足夠冗余的情況下，獲得較好的導(dǎo)通壓降，同時(shí)優(yōu)化了芯片布局，讓器件的開(kāi)關(guān)特性更好，更經(jīng)濟(jì)適用。
■通過(guò)嚴(yán)苛的汽車(chē)級(jí)可靠性測(cè)試
此產(chǎn)品是750V400A的三相全橋IGBT模塊，以自主研發(fā)750V200A
IGBT芯片和定制的750V200A
FRD芯片為核心，基于行業(yè)成熟通用封裝形式。采用真空焊片焊接工藝降低焊接空洞率；采用氧化鋁陶瓷DCB，保證高絕緣強(qiáng)度的情況下，提高模塊導(dǎo)熱性。750V電壓等級(jí)，彌補(bǔ)常規(guī)600V，650V在有些電壓平臺(tái)耐壓不足的缺點(diǎn)，提高可靠性。
3、芯能自主研發(fā)的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)板■基于ST最新的磁隔離驅(qū)動(dòng)芯片；■驅(qū)動(dòng)芯片滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)4、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試波形展示
■IGBT開(kāi)關(guān)波形良好，無(wú)振蕩、無(wú)抖動(dòng)■動(dòng)態(tài)損耗與同規(guī)格競(jìng)品相當(dāng)■Dv/dt、di/dt速度適中，能較好的平衡損耗與EMI5、芯能專(zhuān)用結(jié)合應(yīng)用的測(cè)試臺(tái)架除了常規(guī)的功率沖擊循環(huán)等測(cè)試之外，芯能還結(jié)合汽車(chē)應(yīng)用的特殊工況和長(zhǎng)壽命要求，定制了大電流沖擊臺(tái)架、電機(jī)對(duì)拖臺(tái)架等高度還原實(shí)際應(yīng)用條件的測(cè)試設(shè)備，對(duì)芯片和模塊進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試，運(yùn)行狀態(tài)良好。
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