新品發(fā)布
芯能半導(dǎo)體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片。封裝兼容62mm。該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn)，內(nèi)置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管，利于多并聯(lián)使用，主要應(yīng)用在光伏、儲(chǔ)能、電機(jī)控制器等領(lǐng)域。
該C2模塊由芯能半導(dǎo)體自建的自動(dòng)化封裝制造專(zhuān)線生產(chǎn)，可以實(shí)現(xiàn)模塊的常溫、高溫動(dòng)靜態(tài)測(cè)試篩選，以及器件參數(shù)的分檔，滿足模塊并聯(lián)使用和高可靠性的要求。
競(jìng)品參數(shù)對(duì)比
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、C2系列封裝（兼容62mm）
2、IGBT采用MPT芯片技術(shù)，超低開(kāi)關(guān)損耗，超低Vcesat
3、FRD采用正溫度系數(shù)，利于多并聯(lián)使用
4、低寄生電感
5、成本比ME4產(chǎn)品低20%
應(yīng)用領(lǐng)域
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
測(cè)試波形對(duì)比
1、2.5倍電流波形@150℃
2、短路波形@150℃
自動(dòng)化封裝線
芯能半導(dǎo)體有一條專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)C2的模塊的專(zhuān)線，全制程、全工序生產(chǎn)作業(yè)配備有先進(jìn)的工藝自動(dòng)化上下料系統(tǒng)： 以實(shí)現(xiàn)高效的生產(chǎn)和一致的產(chǎn)品質(zhì)量。
※ ：產(chǎn)品具體信息可向我司銷(xiāo)售人員咨詢(xún)或索取產(chǎn)品規(guī)格書(shū)（service@invsemi.com）。
